化學原理啟迪494
Oscar de la Renta Spring 2014 Bridal
1.
雖然晶場模型成功地解釋錯離子的磁性與光譜性質,但晶場模型在解釋與d軌域分裂有關的性質,卻有界限。例如,晶場模型在說明「金屬離子—配位子」鍵結方面十分粗糙,甚至會誤導。
2.
在各種模型中,分子軌域(MO)模型描繪錯離子的鍵結最為翔實,分子軌域模型MO
model指出,分子新形成的軌域組,來自於組成原子的原子軌域。
3.
為了說明分子軌域模型如何應用在錯離子上,我們將用化學式ML6n+的錯合物,說明八面體構造的MOs。
4.
為了讓事情盡量簡單,我們將專注於配位子的軌域,配位子有孤對電子(未鍵結電子對),與金屬離子的價電軌域(3d、4s和4p)交互作用。
5.
在預測原子軌域如何形成分子軌域MOs方面,有二個重要的考量點:
一、 軌域的重疊程度
Extent of orbital overlap。金屬原子與配位子的原子軌域必須在空間中淨重疊,才能形成分子軌域MOs。
下圖是由孤對電子配位子所構成的八面體構造,金屬離子的二個3d軌域(dz2和dx2-y2)直接指向配位子,因此會與配位子的孤對電子軌域重疊,形成分子軌域MOs;
相反地,金屬離子的dxy、dxz和dyz軌域指向配位子之間的空白區域(沒有直接指向配位子),不會與配位子形成σ鍵。
金屬離子圓球型4s軌域,會與所有配位子的孤對電子軌域重疊,並且每個金屬離子的4p軌域,與配位子的孤對電子軌域重疊。因此,金屬離子的dz2、dx2-y2、4s、4px、4py和4pz軌域形成錯離子的σ分子軌域MOs。
二、 軌域能量大小Relative
orbital energies。如果金屬原子與配位子的原子軌域能量接近,彼此吸引的力量,會比原子軌域能量差異大的原子彼此吸引的力量,更強大。
6.
將上述原則用在一般錯離子ML6n+上,我們得到能階圖如下:
圖說:由左而右分別為,自由金屬離子軌域,八面體錯合物離子軌域,配位子孤對電子軌域。
7.
特別留意,σs、σp和σd的分子軌域MO是鍵結分子軌域MOs;σs、σp和σd軌域能量,比配位子軌域低,並且σs、σp和σd是獨立/自由金屬離子軌域與配位子孤對電子軌域混合而成的,這些鍵結電子是穩定化合物的主力。
8.
因為金屬離子的dxz、dyz和dzy軌域(t2g軌域組),沒有配位子錯合物的軌域重疊,因此保持不變。
9.
在錯離子中,這些金屬離子的d軌域(t2g軌域組)的能量,與在自由狀態下的軌域能量,是一樣的,所以,t2g軌域組對錯離子的穩定度並無貢獻,它們稱為未鍵結電子軌域nonbonding orbitals。
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