2013年8月4日 星期日

分子固體molecular solids

化學原理啟迪412
RICK OWENS FALL/WINTER 2013-2014 MENSWEAR
1.     到目前為止我們所討論的固體,其組成原子都佔據晶格位置。大部分的情況下,這類晶體可被視為由一個一個大分子組成的晶體,然而有許多固體確實是由位於晶格位置的分子組成的。
2.     較常見的例子是「冰」,冰晶體的每個晶格位置,由水分子所佔據。分子晶體,舉例來說乾冰(固體二氧化碳)是一種分子晶體,此外硫晶體是由S8分子組成:
3.     有一種磷晶體是P4分子組成;富勒烯fullerenes,全由含碳的分子組成,例如C60、C70。這些物質的特色是,分子內的化學鍵很強,分子間的化學鍵較弱。
4.     舉例來說,要融化1mole固體水「冰」只需要 6kJ的能量,因為融化只需要突破分子間的引力「H2O-H2O」。然而,要打斷1mole分子的OH鍵則需要470kJ的能量。
5.     分子內的共價鍵與分子間的引力,這二者的差距,可從下述物質的原子間的距離,與分子間的距離,比較出來:
磷晶體P4,分子的原子間的距離是2.20Å,固態下分子間的距離3.8Å。
硫晶體S8,分子的原子間的距離2.06Å,固態下分子間的距離3.8Å。
氯分子Cl2,分子的原子間的距離1.99Å,固態下分子間的距離3.6Å。
6.     在分子固體,分子間的引力大小決定於分子的性質。許多分子,例如CO2、I2、P4和S8是沒有偶極矩的,分子間的引力是倫敦分散力London dispersion forces。
7.     由於這種引力很小,我們應該會認為這類物質在25℃下是氣體,二氧化碳就是如此。但是當分子十分龐大,分子間的引力也會變大,這使得許多由分子組成的物質在25℃下呈現固態。
8.     當組成物質的分子有偶極矩,分子間的引力會較大。特別是當分子間存在氫鍵,分子彼此的交互作用力量特別強。
9.     因為每個水分子有2個極性OH鍵,並且氧原子尚有2對未鍵結電子,這使得氧原子可與4個氫原子連接,其中2個是共價鍵,另外2個是偶極力造成的鍵結(氫鍵)。
10. 冰的結構顯示,其中2個「氫-氧共價鍵」比較短,另外2個「氫-氧偶極力」形成的化學鍵比較長。

離子固體Ionic Solids
11. 離子固體是穩定、高熔點的物質,電荷相反的離子彼此以強鍵鍵結。氯化鈉是一種雙元固體,雙元離子固體的結構,可用最密堆積結構解釋。
12. 基本上,離子固體中比較大的離子,以六方最密堆積hcp或立方最密堆積ccp,通常陰離子是比較大的離子,所以小顆的陽離子填入最密堆積結構的陰離子間的縫隙洞口。
13. 離子堆疊的原則是,正負離子彼此間的靜電引力最大化,並且相同電荷的離子,彼此間的斥力最小化。
14. 最密堆積結構能產生三種縫隙/洞:
1.三角洞,這是位於同一層的3原子彼此緊密結合後,在3個原子中間產生的縫隙。
2.四面體洞,1個原子座落在3個原子平面的中間凹陷處,這4個緊密結合的原子,中間的空隙即為四面體洞。
3.八面體洞,3個原子組成的平面,分為二層,以最密堆積結構上下堆疊起來,這6個原子中間的縫隙是八面體洞。
15. 如果堆疊的原子,直徑都一樣,那麼洞口大小順序如下:
三角洞<四面體洞<八面體洞
16. 事實上,三角洞太小,這種結構無法構成二元離子化合物。到底二元離子固體的結構是四面體洞或八面體洞,要看陰離子和陽離子的體積比例。

n  翻譯編寫Steven S. Zumdahl 《Chemical Principles》;圖片來源/Exceptionalminerals.com、Sites.google.com、 textbook.s-anand.net、Tulane.edu

2013年8月3日 星期六

半導體Semiconductors

化學原理啟迪411
1.     從元素週期表來看,矽與碳同屬4A族,矽位於碳之下的位置,我們會預期,矽晶體的結構跟鑽石(碳晶體)一樣。
VALENTINO HAUTE COUTURE SPRING/SUMMER 2013
2.     鑽石(碳晶體),填滿電子的分子軌域與空的分子軌域之間,存在相當大的能隙energy gap,能隙阻止激化的電子跑到空的分子軌域MOs,使鑽石成為絕緣體;空的分子軌域為導電能帶conduction bands。
3.     矽晶體的情況類似鑽石(碳晶體),但是矽晶體的能隙比較小,少數電子能在25℃下跨越能隙,這使得矽成為半導體元素semiconducting element或半導體semiconductor。
4.     此外,高溫能提供更多能量激化電子到導電能帶,增加矽的導電度,這是半導體元素的典型行為,這點與金屬永遠保持導電性不同。
5.     如果矽晶體摻入其他元素,矽在常溫下的導電性就會提高。舉例來說,當矽晶體有一部份的矽原子換成砷原子,砷原子比矽原子多一個價電子,多出來的電子可用來導電,這樣製造出來的半導體稱為n型半導體n-type semiconductor。
6.     對矽晶體,摻入價電子數量比矽多的原子(砷),提高矽晶體的導電性,製造出來的物質稱為n型半導體。在n型半導體中多餘的電子十分接近導電能帶,十分容易激化到導電能階,傳導電流。
7.     我們可以對矽晶體摻入硼來加強矽的導電度。硼只有3個價電子,硼的價電子數比矽少1顆,硼與周遭矽鍵結時,少1顆必須價電子,造成1個電子空缺,稱為電洞hole。
8.     當周遭有1個價電子轉移到電洞,這顆電子原本所在的位置立刻出現一個新電洞;當這個電子不斷地在矽晶體內重複相同的動作,會出現電子朝向某一個方向前進,而電洞則朝著電子移動的相反方向移動。
9.     這個現象的另一個思考角度是,完全由矽原子組成的晶體,每個矽原子都有4個價電子與其他矽原子鍵結,這使得低能階的分子軌域都被電子填滿。
10. 如果將矽晶體內部分矽原子轉換成硼原子,由於硼原子缺1個價電子,因此硼與矽鍵結之後,將在分子軌域中製造出缺電子的空隙。
11. 這代表某些分子軌域的電子沒有成對,只有1個電子,這些未成對的電子可用來導電。因此,摻入硼的矽成為比純矽更好的導體。
12. 當半導體摻入的是比晶體主要原子(矽)的價電子數更少的原子(硼),稱為p型半導體 p-type semiconductors。p型半導體的p指的是帶正電的電洞positive holes可用來載運電子。
13. 半導體最重要的應用是,將p型半導體和n型半導體連結成p-n接面二極體 p-n junction。下圖是典型的p-n接面二極體。
14. 在接面二級半導體,少量的電子從n型半導體區域,轉移到p型半導體區域,因為p型半導體有一些低能階的分子軌域MOs沒有填入電子。
15. 電子轉移使部分p型半導體區域的電洞填入負電子,n型半導體區域則因為流失一些電子而產生一些正電荷(電洞);
16. p-n接面二極體在p型和n型區域累積的電荷,稱為接觸電位contact potential或接面電位junction potential,接觸電位為系統內達成平衡的狀態,它阻止半導體內的電子進一步轉移。
17. 如果我們對p-n接面二極體外加電源,將電池的負極端(提供電子)接到p型半導體區域,電池的正極端(接收電子)接到n型半導體的區域,如下圖:
18. 結果,p-n接面二極體的電子受到電池的正極端吸引,集中到p型半導體靠近正極的區域,電子轉移後遺留下來的電洞(正電)則移往n型半導體區域的負極端。電洞的移動方向與電子的移動方向正好相反。
19. p-n接面二極體,p型半導體區域接負極,n型半導體區域接正極,會製造出電阻,阻止電流通過,稱為逆向偏壓reverse bias。
20. 如果p-n接面二極體是,n型半導體區域接負極,p型半導體區域接正極,會降低電阻,使電流容易通過,這種接法稱為正向偏壓forward bias。
21. p-n接面二極體是相當好的整流器rectifier,這是交流電轉換成直流電的設備。
22. 當p-n接面二極體接的是電流是交流電,交流電是正負交替的電波,由於p-n二極體只傳遞方向符合正向偏壓forward bias的電流,因此交流電通過p-n二極體後轉換成直流電。

n  翻譯編寫Steven S. Zumdahl 《Chemical Principles》;圖片來源/維基百科、Hyperphysics.phy-astr.gsu.edu、Thenakedscientists.com